Модули памяти DDR3 поставлены на конвейер

Стартапы 2 года назад | Сергей 156
Модули памяти DDR3 поставлены на конвейер

Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявила о серийном производстве передовых модулей памяти DDR3, созданных на основе 20-нм техпроцесса. Новинки предназначены для использования в широком диапазоне вычислительных приложений.

При создании чипов DDR3 DRAM была использована доступная иммерсионная ArF-литография (литография с использованием эксимерных лазеров на фториде аргона, работающих в диапазоне жесткого ультрафиолета). Подобные технологии производства позволяют создавать передовые 4-гигабитные чипы памяти на основе 20-нм техпроцесса, тем самым расширяя диапазон DRAM-моделирования.

Производство чипов памяти DRAM, в которых каждая ячейка состоит из связанных между собой транзистора и конденсатора, является намного более сложным процессом по сравнению с производством чипов NAND Flash, в ячейках которых находится по одному транзистору. Для продолжения выпуска передовых модулей DRAM-памяти Samsung усовершенствовал концепцию дизайна и производства, использовал технологии двойного шаблона и осаждения атомных слоев.

Усовершенствование технологии двойного шаблона стало новой вехой в производстве чипов памяти, способствуя появлению модулей DDR3 на основе 20-нм техпроцесса. В свою очередь, чипы памяти, использующие фотолитографические технологии, станут основой для следующего поколения DRAM-продуктов 10-нм класса. К тому же, при производстве чипов памяти DDR3 на основе 20-нм техпроцесса были успешно созданы однородные ультратонкие диэлектрические слоя клеточных конденсаторов, что привело к значительному увеличению производительности каждой ячейки.

Применение новых технологий при создании модуля памяти DDR3 DRAM на основе 20-нм техпроцесса привело к 30%-му повышению эффективности производства по сравнению с выпуском предыдущего поколения чипов памяти DDR3 на основе 25-нм техпроцесса, а также к повышению эффективности более чем вдвое – по сравнению с выпуском чипа DDR3 30-нм класса.

Помимо этого, новые 4-гигабитные чипы памяти DDR3 позволяют экономить до 25% потребляемой энергии по сравнению с равноценными модулями памяти, созданными на основе 25-нм техпроцесса. Такое усовершенствование компонентов является основой для разработки самых современных «зеленых» решений для мировых компаний. Например, теперь можно будет гораздо быстрее купить авиабилеты москва белград недорого.

«Новый энергоэффективный модуль памяти DDR3 DRAM от Samsung, который создан на основе 20-нм техпроцесса, сможет завоевать большую популярность в разных сегментах рынка ИТ (включая рынки ПК и мобильных устройств), – отметил Ян Хен Чжун (Young-hyun Jun), исполнительный вице-президент департамента маркетинга и продаж устройств памяти компании Samsung Electronics.– Наша компания продолжит поставлять чипы памяти DRAM нового поколения, а также «зеленые» экологичные решения в области памяти (green memory solutions), оставив позади конкурентов, одновременно способствуя росту мирового ИТ-рынка в тесном сотрудничестве с нашими клиентами и партнерами».

Согласно данным рыночного исследования аналитического агентства Gartner, объем глобального рынка памяти DRAM вырастет с $35,6 млрд в 2013 году до $37,9 млрд в 2014 году.

*10-нанометровый класс означает разброс в технологическом процессе приблизительно между 10-ю и 20-ю нанометрами, в то время как 20-нанометровый класс означает разброс в технологическом процессе приблизительно между 20-ю и 30-ю нанометрами.

Похожие статьи

/moduli-pamyati-ddr3-postavleny-na-konvejer/
rss
Карта